SRAM：静态随机访问存储器

一个SRAM存储单元由4个晶体管和2个电阻器组成，利用晶体管的状态切换来存储数据，而不是电容器，因此读数据时不存在漏电问题，不需要刷新操作，但是由于SRAM需要的晶体管数多，因此成本高。

DRAM：动态随机访问存储器

一个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成，利用电容器存储电量存储电量的多少来存储数据，由于电容器存在漏电问题，因此需要定期刷新。读数据时，电容量的电量会消失，因此每次访问之后，也需要刷新，以防止数据丢失。

SDRAM：同步动态随机访问存储器

同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间，用于充电操作。而SDRAM一个模组有两个bank,在对一个bank充电时，可以操作另一个bank,实现流水线。

SDRAM的经历了多代的发展：分别是SDR SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。

DDR3:

2005年制造出DDR3的原型产品，2007年，市场开始使用DDR3内存芯片。

与DDR2相比，DDR3采用8bit预取，因此提供更高的传输速率（2133MT/s）;更低的工作电压（1.5v，DDR2工作电压为1.8v），另外采用了不同的封装工艺，因此能耗更低。

DDR4:

2011年，samsung宣布生产出第一个DDR4内存模块，2012年，samsung、Micron等开始量产DDR4 SDRAM芯片；

与DDR3相比，DDR4提供更高的时钟频率和传输速率（4166MT/s）;更低的工作电压（1.05~1.2V），因此能耗更低。

SRAM和DRAM区别？

RAM可分为静态存储器（Static Random Access Memory,SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory）。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器，只有0，1两个稳态；DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间的推移，电容其中存储的电荷将逐渐消失。

SRAM：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。

DRAM：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。

静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表：

动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作